芯片工藝及光電特性介紹，43頁(yè)P(yáng)PT文檔，需要的下載。 J$i.^ |hE/
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半導(dǎo)體激光器具體設(shè)計(jì)： X<&Y5\% F
根據(jù)不同的應(yīng)用要求需要激光器有許多不同的設(shè)計(jì)： vr } -u
據(jù)光纖通信系統(tǒng)的要求，發(fā)射器件一般采用1310nm、1550nm波長(zhǎng)的F-P或DFB結(jié)構(gòu)大功率、高線(xiàn)性以及溫度特性好的器件：普通采用InGaAsP/InP材料系MQW有源層設(shè)計(jì)，如果要求較大溫度范圍內(nèi)工作的無(wú)制冷激光器可以采用AlGaInAs/InP材料系MQW有源層設(shè)計(jì)；根據(jù)應(yīng)用要求可以制作F-P、DFB結(jié)構(gòu) ，根據(jù)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可以制作RWG和BH兩種 。 JC
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