LED制作
流程分為兩大部分。首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個(gè)過程主要是在
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。準(zhǔn)備好制作 GaN 基外延片所需的
材料源和各種高純的氣體之后，按照
工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有 GaAs、AlN、ZnO 等材料。MOCVD 是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的 NH3 在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制
鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。 MOCVD
&@anv .D 外延爐是制作 LED外延片最常用的
設(shè)備。
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