研究人員利用二硫化鉬構建出更高效率的芯片

今天，洛桑聯(lián)邦理工學院的納米電子和結構實驗室(LANES)宣布研發(fā)出第一款利用二硫化鉬(MoS2)構建的芯片，它相比現(xiàn)有的硅芯片具有更高的效率，并可以減少體積。這種芯片與硅芯片最大的區(qū)別在于它可以實現(xiàn)3個原子厚的層但依舊保持穩(wěn)定的狀況，它的抗氧化性更好，且導電性容易被控制，這意味著制造方可以進一步減少晶體管的尺寸并使其速度更快。 !v=/f_6  

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舉例來說，它可以讓計算機芯片更為緊湊并且可以幫助柔性外表硬件的發(fā)展，應用上而言，計算機待機模式進入和退出可以變得更快，但目前尚不清楚這種材質(zhì)的晶體管和是能夠出現(xiàn)在用戶的日常生活中。