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    [求助]請(qǐng)教單晶硅的物理特性 [復(fù)制鏈接]

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    離線tc990826
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2006-05-05
    今天不小心弄壞了一塊單晶硅鏡子,感覺此種材料特別脆,有哪位高手有關(guān)于硅的一些資料啊,望賜教![p:1]
     
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    在線cyqdesign
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2006-05-05
    熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。 [P8Y  
    單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì),有較弱的導(dǎo)電性,其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加,有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其導(dǎo)電的程度,而形成p型硅半導(dǎo)體;如摻入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度,形成n型硅半導(dǎo)體。 o!L1Qrh  
    單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅,然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。
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    離線buck0908
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    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2006-06-12
    沒想到看到你的帖子
    離線wjx
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    只看該作者 3樓 發(fā)表于: 2006-10-24
    按理來講,Si是很硬的,我每天都接觸,感覺比鍺硬很多,我認(rèn)為不容易碎
    離線buck0908
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    只看該作者 4樓 發(fā)表于: 2007-02-23
    很是奇怪,怎么〉〉〉???/
    離線libo2006
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    只看該作者 5樓 發(fā)表于: 2007-06-22
    有誰能告訴我單晶硅的拋光過程中的光潔度如何控制/
    離線leonaq
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    只看該作者 6樓 發(fā)表于: 2010-02-05
    請(qǐng)問單晶硅的光學(xué)特性參數(shù)? ,,mkB6;  
    如折射系數(shù) W*;~(hDz  
    離線黃杰
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    只看該作者 7樓 發(fā)表于: 2010-02-08
     單晶硅是一種直接能帶半導(dǎo)體,它的結(jié)構(gòu)內(nèi)部有許多所謂的“懸鍵”,也就是沒有和周圍的硅原子成鍵的電子,這些電子在電場(chǎng)作用下就可以產(chǎn)生電流,并不需要聲子的幫助,因而非晶硅可以做得很薄,還有制作成本低的優(yōu)點(diǎn). c_}i(HQ  
    離線黃杰
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    只看該作者 8樓 發(fā)表于: 2010-02-08
    多晶硅;polycrystalline silicon c?CwxI_b8  
    性質(zhì):灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間,室溫下質(zhì)脆,切割時(shí)易碎裂。加熱至800℃以上即有延性,1300℃時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑,高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下,具有較大的化學(xué)活潑性,能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì),是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料,但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化,再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。 oaHg6PT!  
    If\u^c  
    多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如,在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面,遠(yuǎn)不如單晶硅明顯;在電學(xué)性質(zhì)方面,多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著,甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面,兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正的鑒別須通過分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。