引言
cZNi~ [<]Y+33 早在80年代初，理論預(yù)言：
量子點(diǎn)
激光器的性能與量子階
激光器或量于線激光器相比，具有更低的閡值電流密度，更高的特征溫度和更高的增益等優(yōu)越特性[1,2]。這主要由于在量子點(diǎn)材料(又稱零維材料)中，載流子在三個(gè)運(yùn)動方向上受到限制，載流于態(tài)密度與能量關(guān)系為6函數(shù)，因而具有許多獨(dú)特的物理性質(zhì)，如量子效應(yīng)、量子隧穿、非線性
光學(xué)等，極大地改善了材料的性能。因此，不但在基礎(chǔ)物理研究方面意義重大，而且在新型量子器件等方面顯示出廣闊的應(yīng)用前景。目前，零維材料結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用為國際上最前沿的研究領(lǐng)域之一，仍處于探索階段。90年代初，利用MBE和MOCVD技術(shù)，通過Stranski—Krastanow(S—K)模式生長In(Ga)As/GaAs自組裝量子點(diǎn)等零維
半導(dǎo)體材料有了突破性的進(jìn)展，生長出品格較完整，尺寸較均勻，且密度和發(fā)射率較高的InAs量子點(diǎn)，并于1994年制備出近紅外波段InGaAs/GaAs量子點(diǎn)激光器[3]。目前國際上已有一些實(shí)驗(yàn)室制備了In(Gs)As/GnAs量子點(diǎn)激光器[4-10]。本文報(bào)道我們在原有的基礎(chǔ)上[4]
優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生長工藝，制備出低閡值電流密度和大功率量子點(diǎn)激光器，并用光致發(fā)光(PL)、電致發(fā)光(EL)、原子力顯微鏡(AFM)和高分辨率透射電鏡(TEM)等對InAs/GaAs量子點(diǎn)垂直耦合結(jié)構(gòu)材料進(jìn)行研究。
j2R RSz&9 ;;ER"N 1.實(shí)驗(yàn)
bjPka{PBj ,\ BVV, 我們采用Riber32P型MBE系統(tǒng)在N+GaAs〔001)晶向的襯底上生長結(jié)構(gòu)漸變折射率波導(dǎo)分別限制的量子點(diǎn)激光器材料。生長前先在高溫下去除N+襯底氧化層，再生長0.5μm厚的摻SiN+GaAs緩沖層，摻雜濃度n=2×1018cm-3，中間夾著20個(gè)周期GaA3/AlGaAs超品格，用以改善外延層平整度和阻擋雜質(zhì)向外延方向擴(kuò)散，然后生長lμm厚N+AlGaAs下限制層(n=1018cm-3，Al組分x=0.5)和分別限制漸變x值A(chǔ)lGaAs波導(dǎo)層(x值從0.5至0)，厚度為0.4μm，中間夾著有源區(qū)為三組(InAs)2(GaAs)18量子點(diǎn)垂直稠合結(jié)構(gòu)，即每組包括InAs量子點(diǎn)和GaAs隔離層，InAs層厚為2原子層(ML)，GaAs層厚為18ML。最后生長P+AlGaAs上限制層和0.3μm厚P+GaAs頂層(p=5×1019cm-2)作歐姆接觸層。在生長InAs過程中，當(dāng)InAs厚度超過1.6單原子層(ML)時(shí)，從原位監(jiān)測的高能
電子衍射儀(RHEED)的衍射圖形觀察到從條狀開始變成點(diǎn)狀，這表明生長過程從二維狀態(tài)過渡到二維狀態(tài)，即InAs點(diǎn)開始形成。生長速率對GaAs為0.7μm/h，對InAs為0.2μm/h；襯底溫度對GaAs為600℃，AIGaAs為700℃，InAs為480℃。
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