發(fā)射紫外光的
二極管。一般指發(fā)光中心
波長在400nm以下的
LED,但有時將發(fā)光波長大于380nm時稱為近紫外LED,而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長
光線的殺菌效果高,因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途……
j|[s?YJl [j!0R'T 發(fā)射紫外光的二極管。一般指發(fā)光中心波長在400nm以下的LED,但有時將發(fā)光波長大于380nm時稱為近紫外LED,而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高,因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途,以及與熒光體組合發(fā)出可視光的LED等用途。例如將紅色、綠色和藍色熒光體與紫外LED組合,可獲得白色LED。
vfy-;R( 2j"%}& 紫外LED主要采用GaN類
半導體。產品方面,日亞化學工業(yè)上市了發(fā)光中心波長從365nm~385nm不等的品種,Nitride Semiconductor上市了發(fā)光中心波長為355nm~375nm不等的品種。
9CN /v C*gSx3OG F~DG:x~ 日亞化學工業(yè)2002年發(fā)布的紫外LED
JI*ikco- LED芯片的尺寸為1mm×1mm,為普通LED的10倍,而且收納于具有
金屬封裝內。
be764do 波長不足300nm的深紫外LED的開發(fā)活動也很活躍。2008年理化學研究所和松下電工曾公布,采用GaN類半導體的InAlGaN開發(fā)出了發(fā)光中心波長為282nm,光輸出
功率為10mW的深紫外LED。波長更短的深紫外LED方面,NTT物性科學基礎研究所采用AlN材料開發(fā)出了發(fā)光中心波長為210nm的深紫外LED。