如果要使
激光器的調(diào)制
帶寬得到提高,關(guān)鍵是降低
激光器的電學(xué)寄生因素的影響,尤其需要降低寄生電容及載流子在量子阱結(jié)構(gòu)中的輸運(yùn)過(guò)程。
-e &$,R>; ix(U:'{ 制造高速激光器時(shí),要想提高器件的3db帶寬,可以采取以下措施:
'lxLnX 0BT;"B1 ①有源區(qū)采用應(yīng)變(補(bǔ)償)多量子阱結(jié)構(gòu)——量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到雙軸壓應(yīng)變和垂直于阱面方向的拉伸應(yīng)變,其價(jià)帶頂?shù)闹乜昭芗?jí)上升,而且這種價(jià)帶發(fā)生退簡(jiǎn)并,使電子從自旋軌道分裂帶向重孔穴帶的躍遷幾率近似等于零,使室溫下的俄歇復(fù)合幾率減小,從而導(dǎo)致這種量子阱激光器的閾值電流下降,線寬增強(qiáng)因子減小以及弛豫振蕩頻率、調(diào)制帶寬、微分增益系數(shù)顯著提高。
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