如果要使
激光器的調制
帶寬得到提高，關鍵是降低
激光器的電學寄生因素的影響，尤其需要降低寄生電容及載流子在量子阱結構中的輸運過程。
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4e`-7 制造高速激光器時，要想提高器件的3db帶寬，可以采取以下措施：
( sN;B) JV_ V2L1Ut ①有源區(qū)采用應變（補償）多量子阱結構——量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到雙軸壓應變和垂直于阱面方向的拉伸應變，其價帶頂的重空穴能級上升，而且這種價帶發(fā)生退簡并，使電子從自旋軌道分裂帶向重孔穴帶的躍遷幾率近似等于零，使室溫下的俄歇復合幾率減小，從而導致這種量子阱激光器的閾值電流下降，線寬增強因子減小以及弛豫振蕩頻率、調制帶寬、微分增益系數顯著提高。
_X"G( j _p|>f<} ②有源區(qū)p型摻雜 ——p型摻雜可減小穿過sch區(qū)域時的空穴輸運，這對高速量子阱器件是主要的限制；p型摻雜可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中載流子的分布更加均勻。
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