Dear各位大大.................
~>HzAo9e rOz1tY)l0d 我在做
led模擬，目前遇到些瓶頸，請(qǐng)各位大大為我解答一下.......
Svb>s| D #f< v% 以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究
薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........
E7M_R/7@y wJNm}Wf 1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ
u88wSe<\X m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。
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Nke!!A}\| 2.基板：Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板)，Index=1.7。
o+B)
+<j7^AEG 3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。
fvcS=nRQv
0{g*\W*+~ 4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。
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&!OEd ] 5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。
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/isalOT 6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。
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?C#E_ 7.距離：LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。
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DU0/if9. 8.模擬光源假設(shè)條件：
