[求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問(wèn)題 [復(fù)制鏈接]

Dear各位大大................. fm,:8%  
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請(qǐng)各位大大為我解答一下....... }A_>J7w  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........ 9
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K,GX5c5  
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ 1HNX6  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 vro5G')  
    }\\6"90g*  
2.基板：Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板)，Index=1.7。 r;aP`MVO<  
    i(>v~T,(  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 ^-7{{/  
    l{x?i00tAS  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 f
Yv{M;  
    Z})n%l8J]p  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 Kx[z7]1@  
    lf9_!`DGV  
6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。 GB_m&t  
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7.距離：LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。 \OXKK<^$uK  
 #3u471bp  
8.模擬光源假設(shè)條件： p
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U_,K_6vj  
(1)藍(lán)寶石基板其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部無(wú)任何設(shè)定，下部設(shè)定為全反射(假設(shè)當(dāng)作一維光子晶體模擬)。 MtO p][i  
'}wYSG-  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部與下部無(wú)任何設(shè)定。 ?|9$o/Q}