Dear各位大大.................
fm,:8% +&TcTu#.` 我在做
led模擬,目前遇到些瓶頸,請(qǐng)各位大大為我解答一下.......
}A_>J7w p$%g$K 以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究
薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........
9!6yo K,GX5c5 1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ
1HNX6 m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。
vro5G')
}\\6"90g* 2.基板:Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板),Index=1.7。
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i(>v~T,( 3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。
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l{x?i00tAS 4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。
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Z})n%l8J]p 5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。
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lf9_!`DGV 6.監(jiān)視面:10mm*10mm之正方面。
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} "ts 7.距離:LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。
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#3u471bp 8.模擬光源假設(shè)條件:
pNzGpCk U_,K_6vj (1)藍(lán)寶石基板其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收,無(wú)反射現(xiàn)象,上部無(wú)任何設(shè)定,下部設(shè)定為全反射(假設(shè)當(dāng)作一維光子晶體模擬)。
MtO p][i '}wYSG- (2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收,無(wú)反射現(xiàn)象,上部與下部無(wú)任何設(shè)定。
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