Dear各位大大................. sd\> |N?'
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... !c:Q+:,H
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........
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1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ H V<|eL #
m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 B {!)GZ(}
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2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 6cSMKbgZJ
gs 8w/
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 ]CH@ T9d5V
7P9n.
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4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 !zL 1XW)q
)H$Ik)/N
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 >b,o yM
0.O pgv2K
6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。 + Uq9C-Iu
wNDLN`,^H
7.距離：LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。 `|wH=
mp0p#8txi
8.模擬光源假設條件： JU:! l yd
zB \g'F/
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現(xiàn)象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 KgVit+4u/
]>/Y U*\
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現(xiàn)象，上部與下部無任何設定。 [y}/QPR
]R}#3(]1
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發(fā)光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? VgZ<T,SuW
