Dear各位大大................. sd\>|N?'
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我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... !c:Q+:,H
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以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........
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1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ H V<|eL #
m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 B{!)GZ(}
zvL&V
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2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 6cSMKbgZJ
gs 8w/
3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 ]CH@T9d5V
7P9n.
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4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 !zL1XW)q
)H$Ik)/N
5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 >b,o yM
0.O pgv2K
6.監(jiān)視面:10mm*10mm之正方面。 +Uq9C-Iu
wNDLN`,^H
7.距離:LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。 `|wH=
mp0p#8txi
8.模擬光源假設條件: JU:!lyd
zB\g'F/
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現(xiàn)象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 KgVit+4u/
]>/YU*\
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現(xiàn)象,上部與下部無任何設定。 [y}/QPR
]R}#3(]1
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發(fā)光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? VgZ<T,SuW