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聚合物納米分辨率摻雜研究取得進展 聚合物半導體是新一代柔性光電子產(chǎn)業(yè)的基礎材料，在高柔性邏輯電路、可植入智能感知器件、熱電發(fā)電與制冷器件等方面具有應用前景�；瘜W摻雜可以精細調控聚合物半導體的導電性能和光電功能，并拓展材料的應用領域。近年來，科研人員在聚合物半導體的分子摻雜方法開發(fā)、摻雜程度調控和摻雜態(tài)功能物性拓展等方面取得了進展。然而，現(xiàn)有方法受限于摻雜劑的各向同性擴散，摻雜空間分辨率僅可達亞微米尺度，制約了聚合物半導體納米電子學以及相關超高密度集成器件的發(fā)展。 中國科學院院士、化學研究所研究員朱道本與研究員狄重安團隊，聯(lián)合中國科學院大學副教授張鳳嬌課題組，結合聚合物電化學氧化還原摻雜和傳統(tǒng)無機單離子注入摻雜的基本原理，提出了納米限域的電化學離子注入（NEII）方法，實現(xiàn)了納米級分辨率的聚合物半導體摻雜。 該工作的基本思路是利用離子液體和高玻璃化轉變溫度（Tg）聚合物復合構筑固態(tài)電解質，調控玻璃化轉變溫度，重塑電化學摻雜的邊緣電場并限制水平方向上的離子遷移，以提升電化學摻雜空間分辨率。研究發(fā)現(xiàn)，通過調控復合電解質的Tg和工作溫度（T），可以創(chuàng)建高度局部化的電場分布，實現(xiàn)垂直于納米電極的離子遷移�；诖�，聚合物半導體的摻雜分辨率達到56納米，比傳統(tǒng)化學摻雜的分辨率高2個數(shù)量級；同時，橫向擴展摻雜長度低至9.3納米，接近該類聚合物極化子離域長度的極限。更重要的是，研究揭示了NEII摻雜分辨率與（Tg−T）的指數(shù)依賴性并建立了工作模型，證明了這一方法在聚合物半導體高分辨摻雜方面的普適性�；谶@一方法獲得的聚合物半導體被應用于制備高性能有機晶體管和水平p-n結二極管。上述成果為聚合物納米電子學的發(fā)展提供了新機遇，并為聚合物半導體器件的高密度集成奠定了技術基礎。  電化學離子注入摻雜的原理示意圖和摻雜分辨率表征結果 相關研究成果發(fā)表在《自然-納米技術》（Nature Nanotechnology）上。研究工作得到國家自然科學基金委員會、科學技術部和中國科學院的支持。 論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41565-024-01653-x |
