復(fù)旦大學研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應(yīng)晶體管器件

當前MOSFET器件的持續(xù)微縮所帶來的功耗問題已經(jīng)成為制約集成電路發(fā)展的主要瓶頸。復(fù)旦大學微電子學院朱顥研究團隊、美國國家標準與技術(shù)研究院及美國喬治梅森大學，合作提出一種具有陡峭亞閾值擺幅的負量子電容晶體管器件。研究成果在第68屆國際電子器件大會上發(fā)表。 _vm