ASML未來四代EUV光刻機(jī)進(jìn)度披露：正向1nm邁進(jìn)

日前，ASML產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV（極紫外）光刻機(jī)的最新進(jìn)展。ASML現(xiàn)在主力出貨的EUV光刻機(jī)分別是NXE：3400B和3400C，它們的數(shù)值孔徑（NA）均為0.33，日期更近的3400C目前的可用性已經(jīng)達(dá)到90%左右。 |M8WyW  
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預(yù)計(jì)今年年底前，NXE：3600D將開始交付，30mJ/cm2下的晶圓通量是160片，比3400C提高了18%，機(jī)器匹配套準(zhǔn)精度也增加了，它預(yù)計(jì)會(huì)是未來臺(tái)積電、三星3nm制程的主要依托。 {)DHH:n  
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在3600D之后，ASML規(guī)劃的三代光刻機(jī)分別是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，其中從EXE：5000開始，數(shù)值孔徑提高到0.55，但要等待2022年晚些時(shí)候發(fā)貨了。 ";BlIovT=R  
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由于光刻機(jī)從發(fā)貨到配置/培訓(xùn)完成需要長(zhǎng)達(dá)兩年時(shí)間，0.55NA的大規(guī)模應(yīng)用要等到2025~2026年了，服務(wù)的應(yīng)該是臺(tái)積電2nm甚至1nm等工藝。 c;{Q,"9U  
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