摘要：發(fā)展了大氣等離子體拋光方法，并用于超光滑表面加工。該技術基于低溫等離子體化學反應來實現(xiàn)原子級的材料去除，避免了表層和亞表層損傷。運用原子發(fā)射光譜法證明了活性反應原子的有效激發(fā)，進而揭示了特定激發(fā)態(tài)原子對應的電子躍遷軌道。在針對單晶硅片的加工實驗中，應用有限元分析法在理論上對加工過程中的空間氣體流場分布和樣品表面溫度分布進行了定性分析。后續(xù)的溫度檢測實驗證實了樣品表面溫度梯度的形成，并表明樣品表面最高溫度 僅為９０℃。材料去除輪廓檢測結果符合空間流場的理論分布模型，加工速率約為３２ｍｍ３／ｍｉ ｎ。利用原子力顯微鏡對 表面粗糙度進行測量，證實了加工后樣品表面在一定范圍內表面粗糙度 犚犪 ＝0.6ｎｍ。最后，利用 Ｘ射線光電子譜法研 究了該方法對加工后表面材料化學成分的影響。實驗和檢測結果均表明，該拋光方法可以進行常壓條件下的超光滑表面無損拋光加工，實現(xiàn)了高質量光學表面的無損拋光加工。 3DRbCKNL
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關鍵詞：大氣等離子體拋光法；超光滑表面；單晶硅；電容耦合
