華中科技大學(xué)實現(xiàn)半導(dǎo)體專用光刻膠重大突破
華中科技大學(xué)科研團隊研發(fā)的T150A光刻膠系列產(chǎn)品,已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗證,實現(xiàn)原材料全部國產(chǎn)化,配方全自主設(shè)計,有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。
近日,華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心團隊在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破。團隊研發(fā)的T150A光刻膠系列產(chǎn)品,已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗證,實現(xiàn)原材料全部國產(chǎn)化,配方全自主設(shè)計,有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。 半導(dǎo)體專用光刻膠普遍應(yīng)用于集成電路芯片制造中,電腦、手機、汽車電子、人工智能、光伏、鋰電等都離不開它,產(chǎn)業(yè)應(yīng)用可謂十分廣泛。武漢光電國家研究中心團隊研發(fā)的這款半導(dǎo)體專用光刻膠對標(biāo)國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于被業(yè)內(nèi)稱之為“妖膠”的國外同系列某產(chǎn)品,T150A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達到120nm,且工藝寬容度更大,穩(wěn)定性更高,留膜率更優(yōu),其對刻蝕工藝表現(xiàn)更好,通過驗證發(fā)現(xiàn)T150A中密集圖形經(jīng)過刻蝕,下層介質(zhì)的側(cè)壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。 團隊在電子化學(xué)品領(lǐng)域深耕二十余載,立足于關(guān)鍵光刻膠底層技術(shù)研究,致力于半導(dǎo)體專用高端電子化學(xué)品原材料和光刻膠的開發(fā),并以新技術(shù)路線為半導(dǎo)體制造開辟新型先進光刻制造技術(shù),同時為材料的分析與驗證提供最全面的手段。 該團隊負(fù)責(zé)人表示:“以光刻技術(shù)的分子基礎(chǔ)研究和原材料的開發(fā)為起點,最終獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的配方技術(shù)。這只是個開始,我們團隊還會發(fā)展一系列應(yīng)用于不同場景下的KrF與ArF光刻膠,致力于突破國外卡脖子關(guān)鍵技術(shù),為國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來更多驚喜! |
1.行業(yè)新聞、市場分析。 2.新品新技術(shù)(最新研發(fā)出來的產(chǎn)品技術(shù)介紹,包括產(chǎn)品性能參數(shù)、作用、應(yīng)用領(lǐng)域及圖片); 3.解決方案/專業(yè)論文(針對問題及需求,提出一個解決問題的執(zhí)行方案); 4.技術(shù)文章、白皮書,光學(xué)軟件運用技術(shù)(光電行業(yè)內(nèi)技術(shù)文檔);
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