解析LED照明材料與芯片應(yīng)用的現(xiàn)狀
重點(diǎn)圍繞GaN基材料及器件而衍生出設(shè)備、源材料、器件設(shè)計(jì)、芯片技術(shù)、芯片應(yīng)用等環(huán)節(jié)展開分析。
芯片應(yīng)用 針對(duì)藍(lán)光LED激發(fā)黃色熒光粉的白光LED技術(shù)方案較低的熒光轉(zhuǎn)換效率,RGB多芯片白光和單芯片無熒光粉白光成為未來白光LED的主要技術(shù)趨勢(shì),效率較低的綠光LED則成為RGB多芯片白光的主要限制因素,未來半極性或非極性綠光LED將成為重要的發(fā)展趨勢(shì)。在解決白光LED顯色方面,可利用紫光或紫外LED激發(fā)RGB三色熒光粉,獲得高顯色白光LED技術(shù),但必然犧牲一部分效率。目前,紫光或紫外光芯片效率已經(jīng)獲得很大進(jìn)步,日亞化學(xué)公司生產(chǎn)的365nm波長紫外LED外量子效率已經(jīng)接近50%。未來紫外LED將獲得更多應(yīng)用,且無其它紫外發(fā)光體系材料代替,發(fā)展前景非常巨大。一些發(fā)達(dá)國家已紛紛投入大量人力、物力開展UVLED的研究。而氮化物的紅光紅外光波段應(yīng)用,除了環(huán)境之外,無論是價(jià)格還是性能都難以與砷化物競爭,因而前景不是很明朗。 根據(jù)以上闡述可知,圍繞半導(dǎo)體照明的上游材料及設(shè)備已經(jīng)獲得很大的發(fā)展,尤其在效率方面,藍(lán)光波段已經(jīng)接近理想效率,芯片在半導(dǎo)體照明燈具的價(jià)格比也大幅度下降,未來半導(dǎo)體照明將從光的效率向光品質(zhì)方向發(fā)展,這要求芯片材料沖破藍(lán)光領(lǐng)域,同時(shí)向長波長和短波長方向發(fā)展,而綠光、紫光和紫外光LED芯片將是研究重點(diǎn)。 |
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