不是美女 |
2014-05-30 22:41 |
表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模擬.PDF
表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模擬.PDF,需要的下載。 ocT.2/~d k"2xyzt* 摘要:影響GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半導體和空氣界面處的全反射。根據實際芯片建立LED模型,利用蒙特卡羅方法進行光線追跡模擬,分析了光子的主要損耗對出光效率的影響。計算不同的表面粗化微元,微元尺寸及微元底角對LED光提取效率的影響;比較不同微元形成的光場分布。模擬顯示:所設計最佳的表面粗化結構在理想狀況 6 4da~SEn 下可以提高光提取效率3倍以上。
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