playboysto |
2007-12-23 11:48 |
關于LED的資料
一、 半導體發(fā)光二極管工作原理、特性及應用 y.k~Y0 (一)LED發(fā)光原理 1&OW4_ 發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的,其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性,即正向?qū),反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由N區(qū)注入P區(qū),空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復合而發(fā)光,如圖1所示。 &-w
Cvp7 :OZrH<SW 假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光,或者先被發(fā)光中心捕獲后,再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外,還有些電子被非發(fā)光中心(這個中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲,而后再與空穴復合,每次釋放的能量不大,不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大,光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內(nèi)發(fā)光的,所以光僅在靠近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。 y^*~B(T{ 理論和實踐證明,光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬 6@!`]tSCK 度Eg有關,即 ^76]0`gS ????λ≈1240/Eg(mm) 8,%^
M9zBP 式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見光(波長在380nm紫光~780nm紅光),半導體材料的Eg應在3.26~1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。現(xiàn)在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管,但其中藍光二極管成本、價格很高,使用不普遍。 hfTY. (二)LED的特性 Z{d^- 1.極限參數(shù)的意義 ~~P5k: (1)允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值,LED發(fā)熱、損壞。 kD%( _K5 (2)最大正向直流電流IFm:允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。 >U>(`r*
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