今天這個(gè)例子對(duì)計(jì)算機(jī)性能要求很高,因?yàn)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=LED',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">LED的建模是非相干光源的建模,因此本例中非相干光源LED的建模是重點(diǎn)。 <u/(7H
選取部分相干光源列表中的高斯型平面光源,對(duì)模式進(jìn)行編輯,initial grid size可編輯xy平面上的高斯光斑數(shù)量,每?jī)蓚(gè)光斑初始相位都不同,為非相干的。lateral level設(shè)置相干部分,即橫移出來(lái)的模式與之前的模式為相干的。本例中為完全非相干的,故該橫移模設(shè)置為1即可。 <`WcI`IAb
另外是高斯光束的設(shè)置,因?yàn)長(zhǎng)ED發(fā)散角很大,遠(yuǎn)大于常用的高斯激光,所以本例中將高斯光源發(fā)散角設(shè)置為5°甚至更大,會(huì)相應(yīng)的使光源建模的數(shù)據(jù)量非常大。而高斯光斑的尺寸也非常小,故要形成連續(xù)的LED非相干光源,initial grid size就要設(shè)置很大的數(shù)字,至少每個(gè)方向都要為200。當(dāng)然這與發(fā)散角相關(guān)。 }s[`T
另外還要模擬LED的光譜特性的話(huà),也可以在光譜參數(shù)中進(jìn)行設(shè)置。相應(yīng)的模式數(shù)為非相干性設(shè)置的模式數(shù)量與光譜模式數(shù)量相乘。 1u"#rC>7.4
因此LED的模擬是一個(gè)對(duì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存要求非常高的一個(gè)建模內(nèi)容。 $g),|[x+(
而實(shí)現(xiàn)勻化的元件微透鏡陣列則非常容易建模,選擇理想透鏡,設(shè)置為周期函數(shù),則可得到微透鏡陣列。在4f系統(tǒng)下對(duì)稱(chēng)的加入該微透鏡陣列即可實(shí)現(xiàn)LED均勻化。