美國科學(xué)家制造出沒有半導(dǎo)體的晶體管

據(jù)美國每日科學(xué)網(wǎng)站近日報(bào)道，美國科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，制造出了沒有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設(shè)備時(shí)代。 o_&.R  
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幾十年來，電子設(shè)備變得越來越小，科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬個(gè)半導(dǎo)體集成在單個(gè)硅芯片上。該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、密歇根理工大學(xué)的物理學(xué)家葉躍進(jìn)（音譯）表示：“以目前的技術(shù)發(fā)展形勢看，10年到20年間，這種晶體管不可能變得更小。半導(dǎo)體還有另一個(gè)先天不足，即會(huì)以熱的形式浪費(fèi)大量能源�！� 5EDHJU>  
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科學(xué)家們嘗試使用不同材料和半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方法來解決上述問題，但都與硅等半導(dǎo)體有關(guān)。2007年，葉躍進(jìn)開始另辟蹊徑，制造沒有半導(dǎo)體的晶體管。葉躍進(jìn)說：“我的想法是用納米尺度的絕緣體并在其頂部安放納米金屬來制造晶體管，我們選擇了氮化硼碳納米管（BNNTs）做基座�！彪S后，他們使用激光，將直徑為3納米寬的金量子點(diǎn)（QDs）置于氮化硼碳納米管頂端，形成了量子點(diǎn)—氮化硼碳納米管（QDs-BNNTs）。對于金量子點(diǎn)來說，氮化硼碳納米管是完美的基座，其尺寸小、可控而且直徑一致，同時(shí)還絕緣，也能對其上的量子點(diǎn)大小進(jìn)行限制。 ZiM#g1;  
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研究人員同橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室（ORNL）的科學(xué)家們攜手合作，在室溫下讓量子點(diǎn)—氮化硼碳納米管兩端的電極通電。有趣的事情發(fā)生了：電子非常精確地從一個(gè)量子點(diǎn)跳到另一個(gè)量子點(diǎn)——這就是量子隧穿效應(yīng)。葉躍進(jìn)表示：“這種設(shè)備的穩(wěn)定性非常好�！� nV