科學家利用石墨烯制成新型閃存

據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院的科學家通過將石墨烯和輝鉬礦（分子式為MoS2）兩種具有優(yōu)越電性能的材料相結(jié)合，制成了新型閃存的原型，在性能、尺寸、柔性和能耗等方面都很具前景。相關研究報告發(fā)表在近期出版的《美國化學學會·納米》雜志上。 kg@Okz N%  
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輝鉬礦在自然界的儲量十分豐富。兩年前，該校納米電子學與結(jié)構(gòu)實驗室的研究人員揭示了這種礦物卓越的電子特性。數(shù)月后，他們又闡釋了構(gòu)建高效輝鉬礦芯片的可能性。在輝鉬礦芯片誕生之后，輝鉬礦閃存也相繼面世。這是此種新材料在電子工業(yè)領域應用的重要一步。 c-dOb.v0  
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此次，科學家更是獨出心裁，將輝鉬礦獨特的電子特性與石墨烯優(yōu)異的傳導性相結(jié)合，構(gòu)建了新型閃存的原型。它不僅能夠儲存數(shù)據(jù)，即使是在缺乏電力的情況下，其仍能保持數(shù)據(jù)的正常存儲。這種存儲器對于照相機、手機、筆記本電腦和打印機等電子設備而言，可謂是理想的“能量帶”。 {okx*]PIc  
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新晶體管閃存原型在設計中借鑒了“場效應”幾何學，其與三明治結(jié)構(gòu)近似：位于中間的輝鉬礦薄層能夠輸送電子，底部由石墨烯制成的電極會將電力傳送至輝鉬礦層，而上方也將包含由石墨烯組成的元件，這有助于電荷的捕獲和數(shù)據(jù)存儲的實現(xiàn)。 ;]/
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事實上，石墨烯和輝鉬礦有很多共性。兩者都具有超越現(xiàn)存硅芯片和電子晶體管物理限制的潛力。每層化學結(jié)構(gòu)僅有單個原子厚度，也賦予了它們機械柔性和微型化的巨大潛能。雖然石墨烯是很好的導體，但輝鉬礦的半導體性質(zhì)卻很優(yōu)越。輝鉬礦的電子結(jié)構(gòu)中具有理想的“能量帶”，而石墨烯則沒有。這允許它能輕易地在“開啟”和“關閉”狀態(tài)中轉(zhuǎn)換，并因此能減少用電量。 R[l9f8  
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科研人員表示，將這兩種材料相結(jié)合能使他們在微型化方面取得顯著進展，而使用這種晶體管也將為制成更具柔性的納米電子器件提供幫助。目前該閃存只能儲存少量數(shù)據(jù)，但由于輝鉬礦比硅更薄，因此對電荷也更加敏感，這將為實現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)存儲提供巨大可能性。