新技術(shù)利用石墨烯實現(xiàn)大功率半導體設備大幅降溫

據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國加州大學河濱分校伯恩斯工程學院的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù)，可借助石墨烯實現(xiàn)大功率半導體設備的大幅降溫，解決在交通信號燈和電動汽車中使用的半導體材料散熱問題。相關(guān)研究報告5月8日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。 $A9Pi"/*z  
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自上世紀90年代以來，半導體材料氮化鎵（GaN）就被用于強光的制造，并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設備中。然而就像所有大功率操作設備一樣，氮化鎵晶體管會散發(fā)出相當多的熱量，需要對其快速而有效的移除�？茖W家已嘗試過倒焊芯片和復合基底等多種熱量管理途徑，但效果都不理想。如何為這些設備降溫仍困擾著學界，氮化鎵電子工業(yè)的市場份額和應用范圍也因為難以散熱而受到限制。 tm5)x^7  
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基于納米設備實驗室開發(fā)的新技術(shù)，將使這一情況得到改善。研究小組由電子工程學教授亞歷山大·巴蘭金領(lǐng)導，他們在進行微拉曼光譜溫度測量時發(fā)現(xiàn)，通過引入由多層石墨烯制成的交替散熱通道，能使在高功率運轉(zhuǎn)情況下的氮化鎵晶體管中的熱點降低20℃，并將相關(guān)設備的壽命延長10倍。 ssx#|InY  
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巴蘭金表示，這代表了熱量管理領(lǐng)域的變革性進展。與金屬或半導體薄膜不同，多層石墨烯即使在自身厚度僅為數(shù)納米時，也能保持良好的熱力性質(zhì)，這使它們成為了制造側(cè)面導熱片和連接線的極佳備選。研究人員在氮化鎵晶體管上設計并構(gòu)建了石墨烯“被子”，使其能從熱點處移除和傳導熱量。計算機模擬則顯示，采用熱阻更強的基底能使石墨烯“被子”更好地在氮化鎵設備上發(fā)揮作用。