[轉(zhuǎn)載]解析中國(guó)功率半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀 [復(fù)制鏈接]

目前國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀到底如何，和國(guó)外比較還有什么差距。為了更好的解答，半個(gè)月來(lái)，筆者和相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)內(nèi)專家、業(yè)界人士進(jìn)行了交流，本博文將就國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀到底如何分析如下。 czi$&(N0w$  
`4'v)!?  
應(yīng)該說(shuō)，在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中，半導(dǎo)體分立器件的作用長(zhǎng)期以來(lái)都沒(méi)有引起人們足夠的重視，政府的投入也很少，發(fā)展速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于集成電路。 (Q o  
4rO07)~l  
國(guó)內(nèi)分立器件廠商的主要產(chǎn)品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來(lái)才有所涉及，且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要是以微波功率器件（SiCMESFET和GaNHEMT）為主，尚未有針對(duì)市場(chǎng)應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品器件的產(chǎn)品研發(fā)。 (*;b\h  
u_dTJ,m  
從功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品分類來(lái)說(shuō) MOP/