LED芯片的制造工藝流程如下，供相關(guān)專業(yè)人士參考學(xué)習(xí)。 V=o
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外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 . QBF`Rz
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外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。 e]zBf;9 J
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MOCVD介紹：金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱 MOCVD），1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計算機(jī)多學(xué)科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導(dǎo)體材料的外延生長和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。 OG>}M$ Ora
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其實外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜的，在展完外延片后，下一步就開始對LED外延片做電極（P極，N極），接著就開始用激光機(jī)切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用鉆石刀），制造成芯片后，在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數(shù)測試。 <nT
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1.主要對電壓、波長、亮度進(jìn)行測試，能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關(guān)要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。 {#@W)4)cA
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2.晶圓切割成芯片后，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測。 U_I5fK =
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3.接著使用全自動分類機(jī)根據(jù)不同的電壓，波長，亮度的預(yù)測參數(shù)對芯片進(jìn)行全自動化挑選、測試和分類。 P&*2pX:
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4.最后對LED芯片進(jìn)行檢查（VC）和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心，藍(lán)膜上最多有5000粒芯片，但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒，芯片類型、批號、數(shù)量和光電測量統(tǒng)計數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上，附在蠟光紙的背面。藍(lán)膜上的芯片將做最后的目檢測試與第一次目檢標(biāo)準(zhǔn)相同，確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這樣就制成LED芯片（目前市場上統(tǒng)稱方片）。 Yfzl%wc
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在LED芯片制作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片，分撿出來，這些就是后面的散晶，此時在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。 7`DBS^O]dG
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剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數(shù)測試，對于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理，這些晶圓片是不能直接用來做LED方片，也就不做任何分檢了，直接賣給客戶了，也就是目前市場上的LED大圓片（但是大圓片里也有好東西，如方片）。
