[分享]半導(dǎo)體激光器技術(shù)概論 [復(fù)制鏈接]

一、量子阱(QW)激光器 2&LQg=O  
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(1)QW激光器 ]N)DS+V/  
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隨著金屬有機物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)的逐漸成熟和完善，QW激光器很快從實驗室研制進(jìn)入商用化。QW器件是指采用QW材料作為有源區(qū)的光電子器件，材料生長一般是采用MOCVD外延技術(shù)。這種器件的特點就在于它的QW有源區(qū)具有準(zhǔn)二維特性和量子尺寸效應(yīng)。QW激光器與體材料激光器相比，具有閾值電流小、量子效率高、振蕩頻率高的特點，并可直接在較高的溫度下工作。
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