晶體管利用一種稱為
半導(dǎo)體的材料的特殊性能。電流由運(yùn)動的電子承載。普通的金屬，如銅是電的好導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兊碾娮記]有緊密的和原子核相連，很容易被 一個(gè)正電荷吸引。其它的物體，例如橡膠，是絕緣體--電的不良導(dǎo)體--因?yàn)樗鼈兊碾娮硬荒茏杂蛇\(yùn)動。半導(dǎo)體，正如它們的名字暗示的那樣，處于兩者之間，它們通常情況下象絕緣體，但是在某種條件下會導(dǎo)電。
+fKtG]$ >\<*4J$PZ 對半導(dǎo)體的早期研究集中在硅上，但硅本身不能發(fā)射
激光。1948年貝爾實(shí)驗(yàn)室的William Schockley，Walter Brattain 和 John Bardeen 發(fā)明的晶體管。這一發(fā)明推動了對其它半導(dǎo)體裁的研究發(fā)展進(jìn)程。它也為利用半導(dǎo)體中的發(fā)射激光奠定了概念性基礎(chǔ)。1952年，德國西門子公司的Heinrich Welker指出周期表第III和第V列之間的元素合成的半導(dǎo)體對電子裝置有潛在的用途。其中之一，砷化鎵或GaAs，它在尋找一種有效的通訊激光中扮演了重要角色。對砷化鎵（GaAs）的研究涉及到三個(gè)方面的研究：高純度晶體的疊層成長的研究，對缺陷和摻雜劑（對一種純物質(zhì)添加雜質(zhì)，以改變其性能）的研究以及對熱化合物穩(wěn)定性的影響的分析。有了這些研究成果，通用電器，IBM和麻省理工大學(xué)林肯實(shí)驗(yàn)室的研究小組在1962年研制出砷化鎵（GaAs）激光
發(fā)生器。
QMo}W{D U"f ??y%) 但是有一個(gè)老問題始終懸而未決：過熱。使用單一半導(dǎo)體，（通常是GaAs）的激光發(fā)生器效率不是很高。它們?nèi)孕璐罅康碾妬砑ぐl(fā)激光作用，而在正常的室溫下，這些電很快就使它們過熱。只有脈沖操作才有可能避免過熱（脈沖操作：電路或設(shè)備在能源以脈沖方式提供時(shí)的工作方式），可是通過這種工作方式不能通訊傳輸�？茖W(xué)家們嘗試了各種方法來驅(qū)熱一例如把激光發(fā)生器放在其它好的熱導(dǎo)體材料上，但是都沒成功。然后在1963年，克羅拉多大學(xué)的Herbert Kroemer提出了一種不同的的方式--制造一個(gè)由半導(dǎo)體"三明治"組成的激光發(fā)生器，即把一個(gè)薄薄的活躍層嵌在兩條材料不同的板之間。把激光作用限制在薄的活躍層里只需要很少的電流，并會使熱輸出量保吃持在可控范圍之內(nèi)。
3E^M?N2oc H
