1）采用大面積芯片封裝
P2-&Im`+ ixd sz\< 用1x1 mm2的大尺寸芯片取代現(xiàn)有的0.3 x0.3 mm2的小芯片封裝，在芯片注入電流密度不能大幅度提高的情況下，是一種主要的技術(shù)發(fā)展趨勢。
J~k9jeq9 !mmMAsd, 2）芯片倒裝技術(shù)
{ arqcILr 4N,m cV 解決電極擋光和藍寶石不良散熱問題，從藍寶石襯底面出光。在p電極上做上厚層的銀反射器，然后通過電極凸點與基座上的凸點鍵合。基座用散熱良好的Si材料制得，并在上面做好防靜電電路。根據(jù)美國Lumileds公司的結(jié)果，芯片倒裝約增加出光效率1.6倍。芯片散熱能力也得到大幅改善，采用倒裝技術(shù)后的大功率發(fā)光二極管的熱阻可低到12～15℃/W。
8s0+6{vW f<Hi=Qpm 3）金屬鍵合技術(shù)
+(3_V$|Dv Rm} ym9 這是一種廉價而有效的制作功率
LED的方式。主要是采用金屬與金屬或者金屬與硅片的鍵合技術(shù)，采用導(dǎo)熱良好的硅片取代原有的GaAs或藍寶石襯底，金屬鍵合型LED具有較強的熱耗散能力。
5`QcPDp{z 4）開發(fā)大功率紫外光LED
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!D UV LED配上三色熒光粉提供了另一個方向，白光色溫穩(wěn)定性較好，使其在許多高品質(zhì)需求的應(yīng)用場合（如節(jié)能臺燈）中得到應(yīng)用。這樣的技術(shù)雖然有種種的優(yōu)點，但仍有相當(dāng)?shù)募夹g(shù)難度，這些困難包括配合熒光粉紫外光波長的選擇、UV LED制作的難度及抗UV封裝材料的開發(fā)等等。
L (Y1ey9x w7V\_^&Id 5）開發(fā)新的熒光粉和涂敷工藝
)D,KG_7l L=r*bq 熒光粉質(zhì)量和涂敷工藝是確保白光LED質(zhì)量的關(guān)鍵。熒光粉的技術(shù)發(fā)展趨勢是開發(fā)納米晶體熒光粉、表面包覆熒光粉技術(shù)，在涂布工藝方面發(fā)展熒光粉均勻的熒光板技術(shù)，將熒光粉與封裝材料混合技術(shù)。
E#B-JLMGl Y^eN}@]? & 6）開發(fā)新的封裝材料
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