主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模
干涉耦合器,主要步驟如下:
9c>i>Vja! • 定義MMI耦合器的
材料;
E'QAsU8pP • 定義布局設(shè)定;
6j%%CWU{~ • 創(chuàng)建一個MMI耦合器;
`a83RX_\ • 插入輸入面;
w 3t,S3! • 運行
模擬;
m%HT)`>bg • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。
2f,8Jnia dN{At- 1. 定義MMI耦合器的材料
)@g[aRFa 為了定義MMI耦合器的材料,需要進行如下操作:
uJ% <+I 1) 通過File-New打開“初始性能對話框(Initial Properties)“
bfxE}> Y 6a`{' 圖1.初始性能對話框
PUdv1__C 2) 點擊圖1中的“輪廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“輪廓設(shè)計窗口(Profile Designer)”
m}]{Y'i]R B>2=IZ 圖2.輪廓設(shè)計窗口
%_!/4^smE 3) 右鍵單擊圖2中材料(Materials)標(biāo)簽下的“電介質(zhì)(Dielectric)“,選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
x@-K `Y&`2WZ ~ 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
Xb_
V\b0 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料:
S<mZs; − Name : Guide
-X.#Y6( − Refractive Index (Re) : 3.3
2q?/aw ;Z − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口
S^QEc