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    [技術(shù)]OptiBPM:創(chuàng)建一個簡單的多模干涉(MMI)耦合器 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 03-28
    主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模干涉耦合器,主要步驟如下: 9c>i>Vja!  
    • 定義MMI耦合器的材料; E'QAsU8pP  
    • 定義布局設(shè)定; 6j%%CWU{~  
    • 創(chuàng)建一個MMI耦合器; `a83RX_\  
    • 插入輸入面; w 3t,S3!  
    • 運行模擬; m%HT)`>bg  
    • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 2f,8Jnia  
    dN{At-  
    1. 定義MMI耦合器的材料 )@g[aRFa  
    為了定義MMI耦合器的材料,需要進行如下操作: uJ% <+I  
    1) 通過File-New打開“初始性能對話框(Initial Properties)“ b fxE}>  
    Y 6a`{'  
    圖1.初始性能對話框
    PUdv1__C  
    2) 點擊圖1中的“輪廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“輪廓設(shè)計窗口(Profile Designer)” m}]{Y'i]R  
    B>2=IZ  
    圖2.輪廓設(shè)計窗口
    %_!/4^smE  
    3) 右鍵單擊圖2中材料(Materials)標(biāo)簽下的“電介質(zhì)(Dielectric)“,選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 x@ -K  
    `Y&`2WZ ~  
    圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
    Xb _ V\b0  
    4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料: S <mZs;  
    − Name : Guide -X.#Y6(  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 2q?/aw ;Z  
    − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 S^QEc