介紹 wfBuU> C5es2!^-]O 在高約束
芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
jq57C}X}2 耦合器由高折射率比
材料組成,是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
-(\1r2
Y 錐形耦合器實(shí)際上是
光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2]
'y4zBLY 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過(guò)渡。
Z}8k[*. 選擇Silicon-on-insulator(SOI)技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái),因?yàn)樗峁└哒凵渎时龋ǘ趸鑼幼鳛?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=光學(xué)',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_2">光學(xué)緩沖器,并允許與集成
電子電路兼容。[2]
EqD^/(,L2 EkJVFHfh URYZV8=B~ W/ g|{t[ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
I %|@3=Yc [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
ih>a~U< qDnCn H 3D FDTD仿真 C-llq`(d bz{^