不需EUV光刻機(jī) 國(guó)內(nèi)首條光子芯片產(chǎn)線2023年建成

如今，光刻機(jī)一直限制著國(guó)產(chǎn)芯片的發(fā)展，為了突破限制，國(guó)家正在大力推進(jìn)光子芯片，其原理跟硅芯片不同，運(yùn)算速度可提升 1000 倍以上，而且不依賴先進(jìn)的光刻機(jī)，比如 EUV 光刻機(jī)，因此是各國(guó)爭(zhēng)相發(fā)展的新一代信息科技。 9}#9i^%}  
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近日，有消息稱，國(guó)內(nèi)首條 " 多材料、跨尺寸 " 的光子芯片生產(chǎn)線已在籌備，預(yù)計(jì)將于 2023 年在京建成，可滿足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)、微波光子、醫(yī)療檢測(cè)等領(lǐng)域需求，有望填補(bǔ)我國(guó)在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。 VCc57Bo  
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據(jù)悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計(jì)算速度較電子芯片快約 1000 倍，且功耗更低。 ;-d2~1$  
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從材料而言，InP、GaAS 等二代化合物半導(dǎo)體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側(cè)重點(diǎn)在于外延設(shè)計(jì)與制備環(huán)節(jié)，而非光刻環(huán)節(jié)。 K?H(jP2mpM  
建成，可滿足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)、微波光子、醫(yī)療檢測(cè)等領(lǐng)域需求，有望填補(bǔ)我國(guó)在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。 DP=\FG"}x  
據(jù)悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計(jì)算速度較電子芯片快約1000 倍，且功耗更低。 L]QBh\  
從材料而言，InP、GaAS 等二代化合物半導(dǎo)體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側(cè)重點(diǎn)在于外延設(shè)計(jì)與制備環(huán)節(jié)，而非光刻環(huán)節(jié)。  H;Cv]-  
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關(guān)于EUV光刻機(jī)： {z*`* O@  
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極紫外線光刻機(jī)是芯片生產(chǎn)工具，是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設(shè)備，對(duì)芯片工藝有著決定性的影響。​制造和維護(hù)需要高度的光學(xué)和電子工業(yè)基礎(chǔ)，世界上只有少數(shù)廠家掌握。光刻機(jī)的作用是掃描曝光芯片晶圓，刻蝕集成電路。精度越高的光刻機(jī)，能生產(chǎn)出納米尺寸更小，功能更強(qiáng)大的芯片。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。 L;'C5#GN  
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