中科院研發(fā)者回應(yīng)5納米光刻技術(shù)突破ASML壟斷

今年7月，在中國科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進(jìn)展，中科院蘇州所聯(lián)合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發(fā)表了題為《超分辨率激光光刻技術(shù)制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團(tuán)隊研發(fā)的新型5 納米超高精度激光光刻加工方法。 xM+_rU M|h  
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消息一經(jīng)發(fā)出，外界一片沸騰，一些媒體稱此技術(shù)可以“突破ASML的壟斷”、“中國芯取得重大進(jìn)展”，“中國不需要EUV光刻機(jī)就能制作出5納米制程的芯片”。 S3?Bl'  

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該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導(dǎo)師劉前告訴《財經(jīng)》記者，這是一個誤讀，這一技術(shù)與極紫外光刻技術(shù)是兩回事。 =~D