上海微系統(tǒng)所等制備出手性可控的石墨烯納米帶
石墨烯納米帶(GNR)是一種準(zhǔn)一維的石墨烯納米結(jié)構(gòu),根據(jù)結(jié)構(gòu)不同可表現(xiàn)出準(zhǔn)金屬或半導(dǎo)體特性。該特性取決于GNR的手性,包括寬度、晶格取向和邊緣結(jié)構(gòu)。根據(jù)不同的邊緣結(jié)構(gòu),GNR可分為“鋸齒型”(ZZ)和“扶手椅型”(AC)。GNR具有高遷移率和載流能力,且由于量子限域和邊緣效應(yīng),其能夠開啟帶隙。該特性使GNR有望成為包括納米尺度場(chǎng)效應(yīng)晶體管、自旋電子器件和片內(nèi)互連線在內(nèi)的候選材料。但在絕緣襯底表面,可控地制備具有邊緣特異性的亞5納米寬的GNR仍是難題。 近日,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員王浩敏團(tuán)隊(duì)首次在六角氮化硼(h-BN)表面制備出手性可控的GNR并進(jìn)行輸運(yùn)性質(zhì)研究。相關(guān)研究成果以Towards Chirality Control of Graphene Nanoribbons Embedded in Hexagonal Boron Nitride為題,在線發(fā)表在《自然-材料》(Nature Materials)上。 h-BN是一種具有優(yōu)異化學(xué)和熱穩(wěn)定性的寬帶隙二維材料,其具有六角蜂窩網(wǎng)狀晶體結(jié)構(gòu)和原子級(jí)平整的表面,不存在表面懸掛鍵和陷阱電荷,是可保持GNR本征電學(xué)性質(zhì)的理想襯底。 此前,王浩敏團(tuán)隊(duì)通過(guò)引入硅烷進(jìn)行氣相催化,在h-BN表面實(shí)現(xiàn)石墨烯晶疇的快速生長(zhǎng)(Nat. Commun. 6,6499 (2015))和邊界調(diào)控(Nanoscale,9,11475(2017));首次通過(guò)采用h-BN溝槽作為生長(zhǎng)模板,實(shí)現(xiàn)取向GNR的可控生長(zhǎng),開啟帶隙(Nat. Commun. 8,14703 (2017))。上述研究為在h-BN襯底上制備亞5納米寬的手性可控的GNR奠定實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。 |