臺(tái)積電2nm制程2024年或?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)

近日，據(jù)相關(guān)媒體稱，臺(tái)積電2nm制程研發(fā)最新進(jìn)展迅速，已取得重大突破，預(yù)計(jì)在2024年可以實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。 Nvs8t%  
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據(jù)悉，較之前的芯片設(shè)計(jì)采用的鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，此次2nm制程的研發(fā)改采用全新的多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，此種架構(gòu)能解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。目前臺(tái)積電已獲得2nm工藝的芯片工廠所需的土地，地點(diǎn)位于新竹。此外，有消息稱蘋果公司有意臺(tái)積電所研制的2nm芯片，也許在未來iPhone或?qū)⒊蔀榈谝粋�(gè)搭載2nm芯片的手機(jī)。