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三星最新移動內(nèi)存取得突破
三星最新移動內(nèi)存取得突破
發(fā)布:
cyqdesign
2020-08-31 11:22
閱讀:
1319
三星一向喜歡宣傳自己在
內(nèi)存
芯片
方面的進(jìn)展,但這一次它取得顯著突破。三星正開始量產(chǎn)16g的LPDDR5移動內(nèi)存芯片,這是有史以來第一個使用極端紫外線光刻技術(shù)制造的內(nèi)存,這種技術(shù)使用
激光
和光敏化學(xué)物質(zhì)來蝕刻硅。這一突破將為該行業(yè)提供更大的增長空間。
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圖片:搜狗截圖_2020-08-31_11-21-01.png
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