上海光機(jī)所提出一種稀土高摻石英光纖制備新方案

發(fā)布:cyqdesign 2020-07-16 16:20 閱讀:5678
近日,中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光單元技術(shù)實(shí)驗(yàn)室提出了一種基于溶膠凝膠法結(jié)合石英管內(nèi)壁涂覆與熔融拉錐工藝光纖制備新方案。研究團(tuán)隊(duì)利用該方案,在高SiO2含量玻璃光纖中實(shí)現(xiàn)Yb3+離子高濃度摻雜。相關(guān)成果發(fā)表于《光學(xué)與激光技術(shù)》(Optics & Laser Technology)。 L]9!-E  
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自20世紀(jì)90年代提出單頻激光這一概念以來(lái),單頻激光技術(shù)不斷取得顯著進(jìn)展,并且取得越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。稀土摻雜單頻激光器通常要求高濃度的稀土離子摻雜。然而,高SiO2含量的玻璃基質(zhì)因其結(jié)構(gòu)特性難以實(shí)現(xiàn)稀土離子高摻,商用SiO2光纖中Yb3+離子的摻雜水平通常低于1wt%。 uP|AP  
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研究團(tuán)隊(duì)提出的光纖制備新方案主要分為三個(gè)步驟:石英管內(nèi)壁涂覆、膜層的熱處理、二次熔融拉錐過(guò)程。利用該方案,團(tuán)隊(duì)成功制備得到~1.03μm高SiO2含量玻璃有源光纖,Yb3+摻雜濃度高達(dá)5.7wt%,激光輸出的信噪比高達(dá)70dB。制得的光纖很容易與商用石英基無(wú)源光纖器件(如光纖光柵)熔接。 q*DR~Ov  
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該方案克服了高SiO2含量玻璃光纖中Yb3+離子溶解率低的問(wèn)題,有望應(yīng)用于制備短腔高增益石英基光纖。研究團(tuán)隊(duì)指出,該方案中只要該組分溶膠能夠成功制備得到且具有良好的分散性,光纖的纖芯組成可以替換為任何高稀土摻雜組分。因此,該方案將對(duì)制備±1um、±1.5um甚至±2um石英基單頻種子激光器均具有參考意義。 jA=uK6m  
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(a)(b)(c)稀土高摻石英包層光纖的制備流程圖;(d)自制光纖與商用石英基無(wú)源光纖組件熔接的顯微拍圖;(e)激光輸出
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