ASML研發(fā)下一代EUV光刻機：分辨率提升70% 逼近1nm極限

在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26臺，創(chuàng)造了新紀錄。據(jù)報道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機，預計在2022年開始出貨。根據(jù)ASML之前的報告，去年他們出貨了26臺EUV光刻機，預計2020年交付35臺EUV光刻機，2021年則會達到45臺到50臺的交付量，是2019年的兩倍左右。 u}h'v&"e,  
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目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C，兩者基本結構相同，但NXE:3400C采用模塊化設計，維護更加便捷，平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時，支持7nm、5nm。 J+4uUf/d!  
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此外，NXE:3400C的產能也從之前的125WPH（每小時處理晶圓數(shù)）提升到了175WPH。 }v!6BU6<Q  
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不論NXE:3400B還是NXE:3400C，目前的EUV光刻機還是第一代，主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA（數(shù)值孔徑）為0.33。 hPH7(f|c{g  
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ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列，NA指標達到了0.55，主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。 >*(>%E~H  
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與之前的光刻機相比，新一代光刻機意味著分辨率提升了70%左右，可以進一步提升光刻機的精度，畢竟ASML之前的目標是瞄準了2nm甚至極限的1nm工藝的。 @rF\6I  
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不過新一代EUV光刻機還有點早，至少到2022年才能出貨，大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年，屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的制程工藝了。