日本開發(fā)6G超高速芯片:單載波速度高達100Gbps
5G才剛剛開始商用,6G早已經啟動,不少國家、機構、企業(yè)都開始了6G的預研工作。近日,日本NTT集團旗下的設備技術實驗室成功研發(fā)出一款6G超高速芯片,采用磷化錮(InP)化合物,并在300GHz超高頻段進行了無線傳輸實驗,使用16QAM調制時,獲得了100Gbps的超高速度,相當于10萬兆有線網絡。
更令人驚嘆的是,這一高速只使用了一個載波,如果再輔以多載波聚合,以及MIMO、OAM等空間復用技術,或者未來研發(fā)出新的相關技術,組合之下速度更是不可限量,預計至少能達到400Gpbs,也就是如今5G速度的至少40倍。 當然了,28GHz毫米波就面臨傳輸距離、損耗的嚴峻考驗,300GHz超高頻需要克服的困難必然更多,而且注定只適合短距離高速傳輸。 在此之前,美國加州大學Irvine分校的NCIC實驗室也開發(fā)了一款超越5G的收發(fā)器芯片,55nm SiGe BiCMOS工藝制造,面積2.5×3.5毫米,工作在115-135GHz頻段,成功實現(xiàn)了36Gbps的無線傳輸速度,但距離只有30厘米。 至于6G到底會是什么樣子,誰都沒數(shù),目前所做的都是探索各種可能性。 (來源:快科技)
關鍵詞: 芯片
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