摘要：本文設計并制作了一種高效率、高可靠性的915 nm半導體激光器。半導體激光器是光纖激光器的關鍵部件，為了最大限度地提高器件的電光轉換效率，在設計上采用雙非對稱大光腔波導結構，同時對量子阱結構、波導結構、摻雜以及器件結構進行了系統(tǒng)優(yōu)化。器件模擬表明，在25℃環(huán)境溫度下，器件的最高電光轉換效率達到67%。采用金屬有機氣相沉積（MOCVD）法進行材料生長，隨后制備了發(fā)光區(qū)域寬度為95 μm、腔長為4.8 mm的激光芯片。測試表明，封裝后器件的效率以及其它參數(shù)指標達到國際先進水平，在室溫下閾值電流為1 A，斜率效率為1.18 W/A，最高電光轉換效率達66.5%，輸出功率12 W時，電光轉換效率達到64.3%，測試結果與器件理論模擬高度吻合。經(jīng)過約6 000 h的壽命加速測試，器件功率沒有出現(xiàn)衰減，表明制作的高功率915 nm激光芯片具有很高的可靠性。 &-#!]T-P:E
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關鍵詞 ： 半導體激光器；電光轉換效率；亮度；腔面災變功率
