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  • 硅基光子集成的發(fā)展及其相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)述

    作者:矮冬瓜 來(lái)源:長(zhǎng)春理工光學(xué)測(cè)量 時(shí)間:2018-04-19 19:47 閱讀:47951 [投稿]
    光子集成(photonic integrated circuits,PIC) 是指將多個(gè)光器件集成在一起的技術(shù),相對(duì)于目前廣泛采用的分立元器件,在尺寸、能耗、成本、可靠性等方面擁有巨大優(yōu)勢(shì),是未來(lái)光器件的主流發(fā)展方向。

    隨著現(xiàn)代社會(huì)信息化的發(fā)展,對(duì)于通信帶寬的需求日益增長(zhǎng),而在過(guò)去的半個(gè)多世紀(jì)里, 電互連在信息行業(yè)的發(fā)展起著至關(guān)重要的作用, 但隨著晶體管特征尺寸的不斷減小, 使電互連面臨著信號(hào)延遲大、傳輸帶寬小、功耗大、信號(hào)串?dāng)_大、加工困難、成本高等局限, 集成度提高的速度減慢甚至趨于停滯。光通信技術(shù)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。光通信技術(shù)在長(zhǎng)距離通信領(lǐng)域有絕對(duì)優(yōu)勢(shì),但用戶(hù)端光通信器件不普及,因此提高器件集成度,降低成本成為關(guān)鍵。光器件是光通信系統(tǒng)的基礎(chǔ)與核心,最能夠代表一個(gè)國(guó)家在光通信技術(shù)領(lǐng)域的水平和能力。光子集成(photonic integrated circuits,PIC) 是指將多個(gè)光器件集成在一起的技術(shù),相對(duì)于目前廣泛采用的分立元器件,在尺寸、能耗、成本、可靠性等方面擁有巨大優(yōu)勢(shì),是未來(lái)光器件的主流發(fā)展方向。

    近年來(lái),隨著技術(shù)的逐漸積累以及產(chǎn)業(yè)需求的旺盛,光子集成技術(shù)迅猛發(fā)展, 其中硅基光集成技術(shù)脫穎而出,硅材料在電子集成電路中應(yīng)用廣泛,成本低廉、性能穩(wěn)定、工藝成熟,適合規(guī);a(chǎn)。在PIC 領(lǐng)域,由于硅是間隙能帶材料,禁帶寬度較大,發(fā)光效率和光電效應(yīng)很弱,目前主要應(yīng)用于無(wú)源器件,基于硅材料的探測(cè)器、調(diào)制器等有源器件近幾年也取得了一定突破。

    一、光子集成

    光子集成(Photonic Integrated Circuits簡(jiǎn)稱(chēng):PIC)也叫光子集成電路。以介質(zhì)波導(dǎo)為中心集成光器件的光波導(dǎo)型集成回路,即將若干光器件集成在一片基片上,構(gòu)成一個(gè)整體,器件之間以半導(dǎo)體光波導(dǎo)連接,使其具有某些功能的光路。如集成外腔單穩(wěn)頻激光器,光子開(kāi)關(guān)陣列,光外差接收機(jī)和光發(fā)射機(jī)等。

    現(xiàn)有PIC所采用的基底材料主要包括磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)、鈮酸鋰(LiNbO3)、硅以及二氧化硅。對(duì)于GaAs 襯底,其主要適合于生長(zhǎng)光通信短波長(zhǎng)(850 nm)波段器件和一些高速電子元器件;對(duì)于InP 襯底,則非常適合于制備通信用長(zhǎng)波長(zhǎng)(1310 nm,1550 nm)波段器件;而Si 襯底,在微電子器件方面已經(jīng)發(fā)展得相當(dāng)成熟。

    1.1光子集成的分類(lèi)及比較

     根據(jù)集成的元器件數(shù)量,光子集成可分為小規(guī)模PIC、中等規(guī)模PIC 和大規(guī)模PIC, 通常指單片集成的功能元器件數(shù)量在10 個(gè)以?xún)?nèi)、10~50 個(gè)和超過(guò)50 個(gè)。大規(guī)模PIC是未來(lái)主流的發(fā)展方向。

    光器件中分為有源光器件和無(wú)源光器件。無(wú)源器件用來(lái)進(jìn)行光信號(hào)的傳輸,或者通過(guò)方向性進(jìn)行“信號(hào)放大”,有源器件一般用于發(fā)射、接收、放大、變換光信號(hào)等。目前,無(wú)源PIC 一般采用硅作為材料,有源PIC 一般采用InP、GaAs 等化合物半導(dǎo)體為材料。根據(jù)集成的元器件是否采用同種材料,PIC 可以分為混合集成和單片集成。單片集成又可以分為有源PIC和無(wú)源PIC。

    1.單片集成:?jiǎn)纹墒墙?jīng)過(guò)相同制作工藝,將不同元器件集成在同一襯底上的一體化技術(shù),實(shí)現(xiàn)起來(lái)有較大技術(shù)難度,但具有結(jié)構(gòu)緊湊、尺寸小、功耗低、可靠性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),是PIC 的發(fā)展方向。

    1)無(wú)源PIC:全部由無(wú)源元器件組成,例如波導(dǎo)、分波/合波器、光開(kāi)關(guān)、可調(diào)光衰(VOA)等。無(wú)源PIC 技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單,目前最常用的是平面波導(dǎo)(planar lightwave circuit,PLC)技術(shù),業(yè)界通常將PLC技術(shù)等同為無(wú)源PIC 技術(shù)。

    2)有源PIC:全部由有源元器件組成組成,例如有源元器件有LD、PIN 探測(cè)器、調(diào)制器、光放大器等。目前多采用InP、GaAs 等化合物半導(dǎo)體為襯底材料,通過(guò)金屬有機(jī)物氣相外延(MOCVD)或分子束外延技術(shù)(MBE),結(jié)合刻蝕技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)集成。

    2.混合集成:集成器件中包含了有源、無(wú)源器件,該技術(shù)需要在同一個(gè)襯底上制作無(wú)源、有源器件,因此該方法更加復(fù)雜。,它的優(yōu)勢(shì)是能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)源光波導(dǎo)與有源器件之間較自由的結(jié)合。然而,不同元器件間需要精密的位置調(diào)整與固定,加之不同材料在光學(xué)、機(jī)械和熱特性等方面存在差異,都將加重封裝的復(fù)雜性和成本,并限制集成規(guī)模。

    相對(duì)而言,目前無(wú)源PIC 技術(shù)更為成熟,商用化程度較高,成本也相對(duì)更低,通常見(jiàn)到的AWG、基于PLC 的ROADM 都是無(wú)源PIC 技術(shù)的產(chǎn)物。


    1.2光子集成發(fā)展及進(jìn)展


    圖1.光子集成發(fā)展歷程

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